美光放弃 4F² DRAM：密度瓶颈在电容间距，不在单元占位面积

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美光宣布放弃把 DRAM 单元从 6F² 推到 4F² 这条「圣杯」路线，尽管研究了二十多年，而 4F² 本身还是美光发明的。CTO Scott DeBoer 的理由是：DRAM 密度最终由电容所需的间距决定，不由名义单元占位面积决定，所以从 6F² 缩到 4F² 在密度上收益有限，成本与复杂度却急剧上升。这与竞争对手相反：三星、SK 海力士与中国长鑫都在推进 4F²，长鑫声称年底会在服务器 DDR5 RDIMM 上用上。美光的替代路线是继续深挖 6F²：高密度 1δ 提良率、1ε 引入先进晶圆键合，Boise 新厂（500 亿美元扩建）将产 1δ。