Hacker News | 📄 原文链接 | 2026-10-27 收录

钻石晶体管:用表面转移掺杂造出全金刚石 MOSFET,开关速度快 50 倍

来源:df.com — 2026-10-26

📋 概述

Diamond Foundry 与斯坦福合作公布全金刚石晶体管的研究路线,核心是用「表面转移掺杂」而不是往晶体里塞替代原子:单晶金刚石晶圆表面用一原子层的氢终止后,电子亲和势变成负值,价带电子会自发转移到表面的受主物种上,在几个纳米内留下高密度的二维空穴气(2DHG)。搭配金刚石衬底的高击穿场与高热导,公司宣称这类器件的开关速度可达 50 倍,并已把导电机制的论文发在 IEEE。

🔑 核心要点

💡 金句

When the surface of a single-crystal diamond wafer is terminated with an atomic layer of hydrogen, its electron affinity becomes negative, allowing electrons to transfer from the diamond valence band to suitable acceptor species.
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